- Si3N4-Schicht
- сущ.
микроэл. слой Si3N4, слой нитрида кремния
Универсальный немецко-русский словарь. Академик.ру. 2011.
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LOCOS-Prozess — LOCOS, kurz für englisch Local Oxidation of Silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«, ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Bauelementen (meist Transistoren). Dafür wird der Silicium Wafer an… … Deutsch Wikipedia
LOCOS — LOCOS, kurz für Local Oxidation of Silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«, ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Bauelementen (meist Transistoren). Dafür wird der Silicium Wafer an ausgewählten Stellen… … Deutsch Wikipedia
Chemical Vapour Deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… … Deutsch Wikipedia
Chemical vapor deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… … Deutsch Wikipedia
Chemical vapour deposition — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapor deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen eingesetzt werden.… … Deutsch Wikipedia
Chemische Gasphasenabscheidung — Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (englisch chemical vapour deposition, CVD) versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen und… … Deutsch Wikipedia
Fotomaske — Fotomasken (englisch reticle) sind Projektionsvorlagen, deren Hauptanwendung die fotolithografische Strukturierung bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltungen oder Mikrosystemen ist. Sie bestehen üblicherweise aus hochreinem… … Deutsch Wikipedia
Equivalent oxide thickness — Der englische Begriff equivalent oxide thickness (EOT, dt. »gleichwertige Oxidschichtdicke«) bezeichnet in der Halbleitertechnik eine Vergleichsgröße einer dünnen Schicht, hauptsächlich von Schichten aus neuartigen High k Dielektrika mit… … Deutsch Wikipedia
Ion-Selective Field Effect Transistor — Der ISFET ist ein ionen sensitiver Feldeffekttransistor, der den pH Wert durch die Stromdurchlässigkeit des Transistors messen kann. Das Messprinzip basiert genau wie beim Feldeffekttransistor auf einer Veränderung des Feldeffektes (Ausbildung… … Deutsch Wikipedia
Ion-Sensitive Field Effect Transistor — Der ISFET ist ein ionen sensitiver Feldeffekttransistor, der den pH Wert durch die Stromdurchlässigkeit des Transistors messen kann. Das Messprinzip basiert genau wie beim Feldeffekttransistor auf einer Veränderung des Feldeffektes (Ausbildung… … Deutsch Wikipedia
Ionensensitiver Feldeffekttransistor — Der ionensensitive Feldeffekttransistor (ISFET, auch ionenselektiver oder ionenempfindlicher Feldeffekttransistor) ist ein spezieller Feldeffekttransistor (FET), der den pH Wert einer Lösung durch die elektrische Leitfähigkeit des Transistors… … Deutsch Wikipedia